山东省属高校2017收支预算出炉 看看哪家最强？
- 美光本周宣布，该公司已开始向主要客户运送其下一代 HBM4 内存的样品。适用于下一代 AI 和 HPC 处理器的新内存组件具有 36 GB 的容量和 2 TB/s 的带宽。美光的首批样品是 12 层高器件，具有 36 GB 内存，具有 2048 位宽接口以及约 7.85 GT/s 的数据传输速率。这些样品依赖于采用该公司 1? （1-beta） DRAM 工艺技术制造的 24GB DRAM 器件，以及台积电使用其 12FFC+（2nm 级）或 N5（5nm 级）逻辑工艺技术生产的逻辑基础芯片。美光最新一代
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美光 HBM4 内存样品
- 生成式AI持续爆发，推升高带宽记忆体（HBM）需求急遽攀升。 全球三大内存厂—美光、SK海力士与三星电子全面投入HBM4战局，争抢AI加速器内存主导权。 其中，美光抢先宣布送样，技术领先态势明显。美光12日宣布，已将最新12层堆叠、容量达36GB的HBM4，送样给多家全球客户。 该产品采用先进的1β DRAM制程，搭配2048位宽高速接口，单堆叠传输速率突破2.0 TB/s，效能较前一代HBM3E提升超过60%，能源效率亦提升逾20%，预计2026年正式量产。美光指出，HBM4具备内存内建自我测试（MBI
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HBM4 美光 HBM3E
- 三星计划在其 HBM4 中采用混合键合技术，以减少热量并实现超宽内存接口，该公司在韩国首尔举行的 AI 半导体论坛上透露。相比之下，该公司的竞争对手 SK 海力士可能会推迟采用混合键合技术，EBN 报道。高带宽内存 （HBM） 将多个存储器件堆叠在基础芯片上。目前，HBM 堆栈中的内存芯片通常使用微凸块（在堆叠芯片之间传输数据、电源和控制信号）连接在一起，并使用模塑底部填充质量回流 （MR-MUF） 或使用非导电膜 （TC-NCF） 的热压缩等技术进行键合。这些晶粒还使用嵌入在每个晶粒内的硅通孔
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三星 HBM4 内存 混合键合
- 4月16日，微电子行业标准制定者JEDEC固态技术协会正式发布了备受业界期待的HBM4标准。HBM4标准作为先前HBM3标准的升级版，将进一步提升数据处理速率，同时保持更高带宽、更高能效及每颗芯片/堆叠的容量等基本特征。HBM4带来的改进对于需要高效处理大型数据集和复杂计算的应用至关重要，例如生成式人工智能(AI)、高性能计算、高端显卡和服务器。据介绍，与此前的版本相比，HBM4标准在带宽、通道数、功耗、容量等多方面进行了改进。具体来看：●增加带宽：通过2048位接口，传输速度高达8Gb/s，HBM4可将
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HBM4
- 据报道，当地时间4月16日，JEDEC固态技术协会宣布，正式推出HBM4内存规范JESD270-4，该规范为HBM的最新版本设定了更高的带宽性能标准。据介绍，与此前的版本相比，HBM4标准在带宽、通道数、功耗、容量等多方面进行了改进。其中，HBM4采用2048位接口，传输速度高达8Gb/s，HBM4可将总带宽提高至2TB/s。 还支持 4 / 8 / 12 / 18 层 DRAM 堆栈和 24Gb / 32Gb 的芯片密度，单堆栈容量可达 64GB。此外，HBM4将每个堆叠的独立通道数加倍，从16个通道（
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- 创意2日宣布，自主研发的HBM4控制器与PHY IP完成投片，采用台积电最先进N3P制程技术，并结合CoWoS-R先进封装，成为业界首个实现12 Gbps数据传输速率之HBM4解决方案，为AI与高效能运算（HPC）应用树立全新里程碑。HBM4 IP以创新中间层（Interposer）布局设计优化信号完整性（SI）与电源完整性（PI），确保在CoWoS系列封装技术下稳定运行于高速模式。 创意指出，相较前代HBM3，HBM4 PHY（实体层）效能显著提升，带宽提升2.5倍，满足巨量数据传输需求、功耗效率提升1
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- AI 的火热，令 HBM 也成了紧俏货。业界各处都在喊：HBM 缺货！HBM 增产！把 DDR4/DDR3 产线转向生产 DDR5/HBM 等先进产品。数据显示，未来 HBM 市场将以每年 42% 的速度增长，将从 2023 年的 40 亿美元增长到 2033 年的 1300 亿美元，这主要受工作负载扩大的 AI 计算推动。到 2033 年，HBM 将占据整个 DRAM 市场的一半以上。可即便行业全力增产，HBM 供应缺口仍然很大，芯片巨头也急的「抓耳挠腮」。当下，
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- 据韩媒报道，近日，三星电子在其内存业务部已完成HBM4内存逻辑芯片的设计，且Foundry已根据该设计正式启动了4nm制程的试生产。待完成逻辑芯片的最终性能验证后，三星电子将向客户提供其开发的 HBM4 内存样品。此前消息称，除采用自家4nm工艺制造逻辑芯片外，三星电子还将在HBM4上导入1c nm制程DRAM Die，以提升产品能效表现，也方便在逻辑芯片中引入更丰富功能支持。
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三星 HBM4 4nm
- 据媒体报道，日前，台积电11月欧洲开放创新平台（OIP）论坛上宣布，其有望在2027年认证超大版本的CoWoS（晶圆上芯片）封装技术，该技术将提供高达9个掩模尺寸的中介层尺寸和12个HBM4内存堆栈，推测它将在2027年至2028年被超高端AI处理器采用。据悉，这一全新封装方法将解决性能要求最高的应用，并让AI（人工智能）和HPC（高性能计算）芯片设计人员能够构建手掌大小的处理器。报道称，完全希望采用台积电先进封装方法的公司也能使用其系统级集成芯片（SoIC）先进封装技术垂直堆叠其逻辑，以进一步提高晶体管
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- 7 月 13 日消息，韩媒 businesskorea 报道，英伟达、台积电和 SK 海力士将组建“三角联盟”，为迎接 AI 时代共同推进 HBM4 等下一代技术。SEMI 计划今年 9 月 4 日举办 SEMICON 活动（其影响力可以认为是半导体行业的 CES 大展），包括台积电在内的 1000 多家公司将展示最新的半导体设备和技术，促进了合作与创新。预计这次会议的主要焦点是下一代 HBM，特别是革命性的 HBM4 内存，它将开启市场的新纪元。IT之家援引该媒体报道，SK 海力士总裁 Kim Joo-
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- 据韩媒报道，韩国后端设备制造商 ASMPT 已向美光提供了用于高带宽内存 (HBM) 生产的演示热压 (TC) 键合机。双方已开始联合开发下一代键合机，用于HBM4生产。根据报道，美光还从日本新川半导体和韩美半导体采购TC键合机，用于生产HBM3E，于今年4月向韩美半导体提供了价值226亿韩元的TC Bonder采购订单。据透露，美光正在使用热压非导电薄膜 (TC-NCF) 工艺制造 HBM3E，该种工艺很可能会在下一代产品 HBM4 中采用。HBM4 16H产品正在考虑使用混合键合。此外，目前美光最大的
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- HBM（HighBandwidth Memory，高带宽内存）是一款新型的 CPU/GPU 内存芯片，其实就是将很多个 DDR 芯片堆叠在一起后和 GPU 封装在一起，实现大容量，高位宽的 DDR 组合阵列。该内存技术突破了内存容量与带宽瓶颈，被视为新一代 DRAM 解决方案，也契合了半导体技术小型化、集成化的发展趋势。过去 10 年里，HBM 技术性能不断升级迭代，已经成为高性能计算领域重要的技术基石之一。2023 年初以来，以 ChatGPT 为代表的 AI 大模型催生了巨量的算力需求，使 HBM 成
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- 6月2日消息，台北电脑展2024的展前主题演讲上，NVIDIA CEO黄仁勋宣布了下一代全新GPU、CPU架构，以及全新CPU+GPU二合一超级芯片，一直规划到了2027年。黄仁勋表示，NVIDIA将坚持数据中心规模、一年节奏、技术限制、一个架构的路线，也就是使用统一架构覆盖整个数据中心GPU产品线，并最新最强的制造工艺，每年更新迭代一次。NVIDIA现有的高性能GPU架构代号"Blackwell"，已经投产，相关产品今年陆续上市，包括用于HPC/AI领域的B200/GB200、用于游
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- 在晶圆代工领域，三星与台积电是纯粹的竞争关系，但在存储芯片市场，作为行业霸主，三星却不得不寻求与台积电深入合作，这都是英伟达惹的祸。据 DigiTimes 报道，三星 HBM3E 内存尚未通过英伟达的测试，仍需要进一步验证，这是因为卡在了台积电的审批环节。作为英伟达 AI GPU 芯片的制造和封装厂，台积电是英伟达验证环节的重要参与者。据悉，台积电采用的是基于 SK 海力士 HBM3E 产品设定的检测标准，而三星的 HBM3E 产品在制造工艺上有些差异，例如，SK 海力士芯片封装环节采用了 MR-MUF
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- 在 HBM4 内存带来的几大变化中，最直接的变化之一就是内存接口的宽度。随着第四代内存标准从已经很宽的 1024 位接口升级到超宽的 2048 位接口，HBM4 内存堆栈将不会像以前一样正常工作；芯片制造商需要采用比现在更先进的封装方法，以适应更宽的内存。作为
2024 年欧洲技术研讨会演讲的一部分，台积电提供了一些有关其将为 HBM4
制造的基础模具的新细节，这些模具将使用逻辑工艺制造。由于台积电计划采用其 N12 和 N5 工艺的变体来完成这项任务，该公司有望在 HBM4
制造工艺中占据有
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