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EEPW首页 >> 主题列表 >> 3d ic

中华人民共和国海上交通安全法(修订草案征求

三星大幅减少未来生产NAND所需光刻胶使用量

  • 据韩媒报道,称三星电子在生产 3D NAND 闪存方面取得重大突破,在其中光刻工艺中大幅缩减光刻胶(PR)用量,降幅达到此前用量的一半。报道称,此前每层涂层需要7-8cc的光刻胶,而三星通过精确控制涂布机的转速(rpm)以及优化PR涂层后的蚀刻工艺,现在只需4-4.5cc。此外,三星使用了更厚的氟化氪(KrF)光刻胶,通常情况下一次工艺形成1层涂层,而使用更厚的光刻胶,三星可以一次形成多个层,从而提高工艺效率,但同时也有均匀性问题。东进半导体一直是三星KrF光刻胶的独家供应商,为三星第7代(11微米)和第
  • 关键字: 三星  光刻胶  3D NAND  

官宣了!IC China 2024将于11月18日在北京举行

  • 11月1日下午,第二十一届中国国际半导体博览会(IC China 2024)新闻发布会在北京举行。中国半导体行业协会副理事长兼秘书长张立、中国半导体行业协会执行秘书长王俊杰、北京赛迪出版传媒有限公司总经理宋波出席会议,分别介绍IC China 2024的举办意义、筹备情况、特色亮点,并回答记者提问。发布会由中国半导体行业协会专职副理事长兼书记刘源超主持。发布会披露,IC China 2024由中国半导体行业协会主办,北京赛迪出版传媒有限公司承办,将于11月18日—20日在北京国家会议中心举办。自2003年
  • 关键字: IC China 2024  

台积电OIP推3D IC设计新标准

  • 台积电OIP(开放创新平台)于美西当地时间25日展开,除表扬包括力旺、M31在内之业者外,更计划推出3Dblox新标准,进一步加速3D IC生态系统创新,并提高EDA工具的通用性。 台积电设计构建管理处负责人Dan Kochpatcharin表示,将与OIP合作伙伴一同突破3D IC架构中的物理挑战,帮助共同客户利用最新的TSMC 3DFabric技术实现优化的设计。台积电OIP生态系统论坛今年由北美站起跑,与设计合作伙伴及客户共同探讨如何通过更深层次的合作,推动AI芯片设计的创新。 Dan Kochpa
  • 关键字: 台积电  OIP  3D IC设计  

倒计时5天!ICDIA-IC Show & AEIF 2024 蓄势待发

  • (一)会议概况2024中国集成电路设计创新大会暨第四届IC应用展(ICDIA-IC Show)和第十一届汽车电子创新大会(AEIF)暨汽车电子应用展将于9月25-27日在无锡同期召开,两会共设2场高峰论坛、8场专题分会(含1场供需对接+1场强芯发布),150场报告,6000+平米展区展示,200+展商展示IC创新成果与整机应用,200+行业大咖,500+企业高管,5000+行业嘉宾参会。会议看点1、第十届汽车电子创新大会(AEIF)概况2024 AEIF技术展览规模将全面升级,聚焦大模型与AI算力、汽车电
  • 关键字: ICDIA-IC Show & AEIF 2024   

东芝推出全新可重复使用的电子熔断器(eFuse IC)系列产品

  • 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出新系列8款小型高压电子熔断器(eFuse IC)——TCKE9系列,支持多种供电线路保护功能。首批两款产品“TCKE903NL”与“TCKE905ANA”于今日开始支持批量出货,其他产品将陆续上市。TCKE9系列产品具有电流限制和电压钳位功能,可保护供电电路中的线路免受过流和过压状况的影响,这是标准物理熔断器无法做到的。即使发生异常过流或过压,也能保持指定的电流和电压。此外,新产品还具有过热保护和短路保护功能,当电路产生异常热量或发生意外短路时,可通
  • 关键字: 东芝  电子熔断器  eFuse IC  

内存制造技术再创新,大厂新招数呼之欲出

  • 制造HBM难,制造3D DRAM更难。
  • 关键字: HBM  3D DRAM  

铠侠公布蓝图:2027年实现1000层3D NAND堆叠

  • 近日,据媒体报道,日本存储芯片厂商铠侠公布了3D NAND闪存发展蓝图,目标2027年实现1000层堆叠。铠侠表示,自2014年以来,3D NAND闪存的层数经历了显著的增长,从初期的24层迅速攀升至2022年的238层,短短8年间实现了惊人的10倍增长。铠侠正是基于这种每年平均1.33倍的增长速度,预测到2027年达到1000层堆叠的目标是完全可行的。而这一规划较此前公布的时间早了近3年,据日本媒体今年4月报道,铠侠CTO宫岛英史在71届日本应用物理学会春季学术演讲会上表示,公司计划于2030至2031
  • 关键字: 铠侠  3D NAND堆叠  

SK海力士5层堆叠3D DRAM新突破:良品率已达56.1%

  • 6月25日消息,据媒体报道,SK海力士在近期于美国夏威夷举行的VLSI 2024峰会上,重磅发布了关于3D DRAM技术的最新研究成果,展示了其在该领域的深厚实力与持续创新。据最新消息,SK海力士在3D DRAM技术的研发上取得了显著进展,并首次详细公布了其开发的具体成果和特性。公司正全力加速这一前沿技术的开发,并已取得重大突破。SK海力士透露,目前其5层堆叠的3D DRAM良品率已高达56.1%,这一数据意味着在单个测试晶圆上,能够成功制造出约1000个3D DRAM单元,其中超过一半(即561个)为良
  • 关键字: SK海力士  3D DRAM  

西门子推出Calibre 3DThermal软件,持续布局3D IC市场

  • ●? ?Calibre 3DThermal?可为?3D IC?提供完整的芯片和封装内部热分析,帮助应对从芯片设计和?3D?组装的早期探索到项目?Signoff?过程中的设计与验证挑战●? ?新软件集成了西门子先进的设计工具,能够在整个设计流程中捕捉和分析热数据西门子数字化工业软件近日宣布推出?Calibre??3DThermal?软件,可针对?3D?
  • 关键字: 西门子  Calibre 3DThermal  3D IC  

西门子推出 Solido IP 验证套件,为下一代 IC 设计提供端到端的芯片质量保证

  • ●? ?西门子集成的验证套件能够在整个IC设计周期内提供无缝的IP质量保证,为IP开发团队提供完整的工作流程西门子数字化工业软件日前推出 Solido? IP 验证套件 (Solido IP Validation Suite),这是一套完整的自动化签核解决方案,可为包括标准单元、存储器和 IP 模块在内的设计知识产权 (IP) 提供质量保证。这一全新的解决方案提供完整的质量保证 (QA) 覆盖范围,涵盖所有 IP 设计视图和格式,还可提供 “版本到版本” 的 IP 认证,能够提升完整芯
  • 关键字: 西门子  Solido IP  IC设计  IC 设计  

迈向 3D 内存:三星电子计划 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型开发

  • IT之家 5 月 21 日消息,综合韩媒 ZDNet Korea 和 The Elec 报道,三星电子执行副总裁 Lee Siwoo 在本月举行的 IEEE IMW 2024 研讨会上表示该企业计划在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 领域商业化研究集中在两种结构上:一种是 4F2 VCT(IT之家注:Vertical Channel Transistor,垂直通道晶体管) DRAM;另一种是 VS-CAT(Vertical Stacke
  • 关键字: 3D 内存  存储  三星  

全球芯片设计厂商TOP10:英伟达首次登顶

  • 得益于人工智能需求激增推动的英伟达营收大增,全球前十大芯片设计厂商在去年的营收超过了1600亿美元,英伟达也首次成为年度营收最高的芯片设计厂商。
  • 关键字: 芯片  英伟达  IC  高通  博通  

欠电压闭锁的一种解释

  • 了解欠压锁定(UVLO)如何保护半导体器件和电子系统免受潜在危险操作的影响。当提到电源或电压驱动要求时,我们经常使用简化,如“这是一个3.3 V的微控制器”或“这个FET的阈值电压为4 V”。这些描述没有考虑到电子设备在一定电压范围内工作——3.3 V的微型控制器可以在3.0 V至3.6 V之间的任何电源电压下正常工作,而具有4 V阈值电压的MOSFET可能在3.5 V至5 V之间获得足够的导电性。但即使是这些基于范围的规范也可能具有误导性。当VDD轨降至2.95V时,接受3.0至3.6 V电源电压的数字
  • 关键字: 欠电压闭锁,UVLO  MOSFET,IC  

SK海力士试图用低温蚀刻技术生产400多层的3D NAND

  • 在-70°C 下工作的蚀刻工具有独特的性能。
  • 关键字: SK海力士  3D NAND  

5G加速 联电首推RFSOI 3D IC解决方案

  • 联电昨(2)日所推出业界首项RFSOI 3D IC解决方案,此55奈米RFSOI制程平台上所使用的硅堆栈技术,在不损耗射频(RF)效能下,可将芯片尺寸缩小逾45%,联电表示,此技术将应用于手机、物联网和AR/VR,为加速5G世代铺路,且该制程已获得多项国际专利,准备投入量产。 联电表示,RFSOI是用于低噪声放大器、开关和天线调谐器等射频芯片的晶圆制程。随着新一代智能手机对频段数量需求的不断增长,联电的RFSOI 3D IC解决方案,利用晶圆对晶圆的键合技术,并解决了芯片堆栈时常见的射频干扰问题,将装置中
  • 关键字: 5G  联电  RFSOI  3D IC  
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3d ic介绍

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